Wachstum und Charakterisierung von ITO-Dünnschichten durch Magnetronsputtern Buchkatalog

In dieser Studie wurden d黱ne Indium-Zinn-Oxid (ITO)-Filme sowohl mit DC- als auch mit RF-Magnetron-Sputtertechniken aufgewachsen. Um die Abscheidungsrate von ITO zu kennen, wurde das System sowohl f黵 DCMS als auch f黵 RFMS kalibriert. Anschlie遝nd wurde ITO auf einem Glassubstrat mit einer Dicke von 70 nm und 40 nm unter 膎derung der Substrattemperatur gez點htet. Der Einfluss der Substrattemperatur, der Schichtdicke und der Sputtermethode auf die strukturellen, elektrischen und optischen Eigenschaften wurde untersucht. Die Ergebnisse zeigen, dass die Substrattemperatur und die Schichtdicke die Schichteigenschaften wesentlich beeinflussen, insbesondere die Kristallisation und den spezifischen Widerstand. Die d黱nen Schichten, die bei einer Temperatur von weniger als 150 oC gewachsen sind, zeigten eine amorphe Struktur. Mit der weiteren Erh鰄ung der Substrattemperatur wurde jedoch eine Kristallisation festgestellt. Die Bandl點ke von ITO wurde bei einer Substrattemperatur von 150 癈 mit etwa 3, 64 eV berechnet und vergr鲞erte sich mit zunehmender Substrattemperatur. Die elektrischen Messungen ergaben einen spezifischen Widerstand bei Raumtemperatur von 1, 28�-4 und 1, 29�-4 D-cm f黵 DC- bzw. RF-gesputterte Schichten. Wir haben auch die Temperaturabh鋘gigkeit des spezifischen Widerstandes und des Hall-Koeffizienten der Filme gemessen und die Ladungstr鋑erkonzentration und die Hall-Mobilit鋞 berechnet.