Entwicklung neuer optischer Methoden für die Charakterisierung des Halbleiters Ga(NAsP) ¿ welche Perspektiven bieten holographische Verfahren? Buchkatalog

Die Transistordichte auf einem Computerchip verdoppelt sich in etwa alle 2 Jahre, wie es das Mooresche Gesetz vorhersagt. Diese Miniaturisierung führt zu immer schnelleren und effizienteren Mikroprozessoren, welche das Leben in allen möglichen Bereichen maßgeblich beeinflussen. Früher oder später wird diese, auf elektrischer Datenübertragung basierende Technologie, an den Punkt kommen, an dem physikalische Grenzen wie Leckströme oder Wärmeentwicklung einer weiteren Miniaturisierung im Wege stehen. Um dann weitere Verbesserung gewährleisten zu können, müssen alternative Technologien genutzt werden. Ein Ansatz dafür besteht darin, die Datenübertragung auf optischem Wege zu realisieren. Dafür muss die auf Silizium basierende Elektronik mit der Lasertechnik kombiniert werden. Dies gestaltet sich jedoch schwierig, da Silizium selbst kein Lasermaterial ist und obendrein im Vergleich zu allen gängigen Lasermaterialien eine stark unterschiedliche Gitterkonstante besitzt, wodurch verhindert wird, dass diese auf Silizium gewachsen werden können. Seit kurzem wird verstärkt an dem neuen Halbleitermaterialsystem Ga(NAsP) geforscht, welches gitterangepasst auf Silizium gewachsen werden kann und in dem elektrisch gepumptes Lasing bis 160 K nachgewiesen wurde. Das zeigt, dass das Materialsystem, bereits zu diesem frühen Entwicklungszeitpunkt großes Potenzial besitzt, den Durchbruch hin zu sogenannten Optoelectronic Integrated Circuits (OEICs) zu schaffen.