Quasi-eindimensionale elektronische Zustände auf der Si(1...
Die 2×1-rekonstruierte Si(111)-Spaltfläche stellt ein wichtiges Modellsystem der experimentellen und theoretischen Oberflächenphysik dar. In dieser Arbeit wurde sie erstmals bei tiefer Temperatur von 8 K mit Rastertunnelmikroskopie und - spektroskopie untersucht. Die hohe laterale Auflösung des Tunnelmikroskops im sub-Å-Bereich erlaubte es, die elektronische Struktur von Si(111)-2×1 innerhalb der Oberflächeneinheitszelle (6, 65×3, 84 Å2) vermessen, die sehr gut mit aktuellen theoretischen ...