InGaN-basierte semipolare und nichtpolare Lichtemitter
Mit dem InGaN-Materialsystem können LEDs und Laser im sichtbaren Spektralbereich für vielfältige Anwendungen hergestellt werden. In Bauelementen auf der polaren c-Ebene existieren Polarisationsfelder, die die Effizienz reduzieren. In gegenüber der c-Ebene verkippten nichtpolaren und semipolaren Ebenen sind die Felder reduziert. Die reduzierte Kristallsymmetrie erzeugt neue technologische Herausforderungen und physikalische Effekte, deren Untersuchung Gegenstand der Arbeit waren. Neben Prozessierungsverfahren für Lichtemitter ...