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Kompakter rückspeisefähiger Antriebsstromrichter mit SiC-JFETs und sinusförmigen Ausgangsspannungen
In der vorliegenden Arbeit wird der Einsatz von Leistungshalbleitern aus Siliziumkarbid (SiC) in der elektrischen Antriebstechnik praktisch untersucht. Die physikalischen Eigenschaften dieses Halbleitermaterials sind hervorragend für die Leistungselektronik, z.B. niedrigerer Durchlasswiderstand bei höherer Sperrspannung und höhere Temperaturbeständigkeit als Silizium.Verfügbare Leistungsschalter aus SiC vom Typ JFET werden analysiert. Anschließend wird ein neuer Umrichter mit diesen Bauelementen entworfen, aufgebaut, erprobt und untersucht.Das ...

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