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Hydrid-Gasphasen-Epitaxie zur Herstellung von GaN-Substraten geringer Krümmung
In der hier vorliegenden Arbeit wurde das Wachstum von dicken GaN-Schichten mittels der Hydrid-Gasphasen-Epitaxie zur Herstellung von GaN-Substraten untersucht. Neben der Entwicklung eines Separationsprozesses zur Trennung von Substrat und GaN-Schicht lag ein weiterer Schwerpunkt in Untersuchungen zum Verständnis der Restverkrümmung freistehender GaN-Wafer.Zunächst wurden die Limitierungen des verwendeten kommerziellen horizontalen Aixtron-Reaktors so weit verbessert, dass reproduzierbar Schichtdicken im Bereich von 1mm ...

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