1 Ergebnis.

Konzipierung eines alternativen Designs für einen Hochvolt-Operationsverstärker: Die Eignung von Galliumnitrid-basierten Transistoren für den Aufbau eines Hochleistungs-Operationsverstärkers
Da auf der Basis von Silizium nur aufwändig konstruierte, teurere hybride Operationsverstärker mit gleichzeitig gutem Hochfrequenzverhalten und hoher Ausgangsspannung und hohem Ausgangsstrom verfügbar sind, wurde in dieser Studie eine Schaltung entworfen, mit der sich relativ einfach und kostengünstig entweder rein mit Silizium-basierten Bauteilen oder auch unter Verwendung von Galliumnitrid-Bauteilen in der Endstufe Hochvolt-Operationsverstärker realisieren lassen.Die Eignung von Galliumnitrid-basierten Transistoren für ...

51,90 CHF