Untersuchungen zu Siliziumkarbid-Leistungshalbleiterschal...
Die Fortschritte in der Halbleitertechnik führten über die letzten Jahrzehnte zuausgereiften Leistungshalbleiterschaltern auf Basis von Silizium (Si). Um zukünftigdie physikalischen Grenzen dieser Bauelemente erweitern zu können, ist derEinsatz eines Halbleitermaterials mit größerem Bandabstand ein Erfolg versprechenderAnsatz. Hierzu zählt das Material Siliziumkarbid (SiC), welches robustereund effizientere Leistungshalbleiter und somit kompaktere Systeme in Aussichtstellt.In der Arbeit werden zunächst ausgewählte Anwendungen mit erhöhten ...