Metallorganische-Gasphasenepitaxie von III/V-Mehrfachsola...
Die Metallorganische Gasphasenepitaxie ist das bedeutendste Verfahren zur Herstellung von Mehrfachsolarzellen auf Basis von III-V-Verbindungshalbleitern. Die vorliegende Arbeit gibt mit Hilfe von Simulationen und deren Überprüfung anhand von Wachstumsexperimenten einen tiefen Einblick in die Physik des Epitaxieprozess. Dennoch können in bestimmten Materialsystemen Oberflächeneffekte eine genaue Kontrolle des Wachstumsprozesses erschweren. Am Beispiel des Tellureinbaus in Ga0.50In0.50P wird gezeigt, wie ein solcher ...