GaN-basierende Feldeffekttransistoren für die Hochtempera...
Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der Herstellung, Charakterisierung und Optimierung von Feldeffekttransistoren auf der Basis der III-Nitride. Aufgrund der herausragenden Eigenschaften dieses Materialsystems wie hohe Durchbruchfeldstärke, hohe Ladungsträgerdichten und -geschwindigkeiten sowie seiner chemischen und thermischen Stabilität eignen sich GaN-basierende Transistoren hervorragend für den Einsatz im Hochleistungs-/Hochfrequenzbetrieb und für Hochtemperaturanwendungen. Im Gegensatz zu SiC, welches vergleichbare Materialeigenschaften wie GaN hat ...