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Bandstrukturuntersuchungen an Ga(In)NAs-basierten Halbleiter-Heterostrukturen mittels Modulations- und magnetooptischer SpektroskopieDie optische Übertragung von Daten mittels Glasfasern wurde während der letzten Dekade zu einem üblichen Verfahren. Das Materialsystem GaInNAs erlangt in diesem Anwendungsbereich immer größere Bedeutung, da sich je nach Indium- und Stickstoffgehalt halbleiteroptische Bauelemente herstellen lassen, die bei Wellenlängen im nahen Infrarot (z.B. 1, 3 µm) Licht emittieren. Diese Wellenlänge ist ...