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Es wurde eine rechnerische Berechnung der Energieverlust- und Schädigungsprofile bei der unabhängigen Implantation von Gallium- und Arsen-Ionen auf amorphes Germanium während der Ionenimplantation durchgeführt. Die erforderlichen Energien für die Dotierung von Gallium-Ion und Arsen-Ion auf Germanium, um maximale Schäden bei 600 Å zu erreichen, wurden mit SRIM berechnet. Diese Energien führen, wenn sie unabhängig voneinander auf Germanium implantiert werden, während ...