Materialaspekte der Hydridgasphasenepitaxie von Aluminium...
Diese Arbeit bearbeitet grundlegende Probleme bei der Abscheidung von AlGaN mittels Hydridgasphasenepitaxie (HVPE). Die Ergebnisse eröffnen die Möglichkeit, dicke AlGaN-Schichten mittels HVPE als Substrate für AlGaN-basierte Bauelemente herzustellen.Beim lateralen Überwachsen von strukturierten Saphirsubstraten zum Spannungsabbau entstehen unerwünschte fehlorientierte Kristallite, welche die Koaleszenz der AlGaN-Schicht verzögern. Untersuchungen dieser Domänen ermöglichen es, ein Modell zur Nukleation und Propagation dieser AlGaN-Domänen zu entwickeln. ...