Zuverlässigkeitsuntersuchung von GaAs Heteroübergang- Bip...
In dieser Arbeit wurde die Zuverlässigkeit von Hochfrequenz- GaAs-Heteroübergang-Bipolartransistoren (HBTs), die am Ferdinand-Braun-Institut für Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsanforderungen (Mobilfunk, Weltraum) hergestellt wurden, untersucht. Für die Lebensdaueruntersuchungen wurden eine zuverlässige Messtechnik und die entsprechenden Methodiken entwickelt und etabliert. Die Untersuchungen erfolgten parallel zur Technologieentwicklung, um den Einfluss der Variation der Technologieparameter auf die Lebensdauer der HBTs zu untersuchen und der Technologie ...