Versetzungsreduzierte AIN- und AIGaNSchichten als Basis f...
Im Rahmen dieser Dissertation wurden AlN und AlGaN als UV-transparente Basisschichten mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie auf c-planaren Saphirsubstraten abgeschieden. Eine Reduktion der Versetzungsdichte und der Verspannung in diesem Material ist entscheidend für die Anwendung als Basisschichten für lichtemittierende Bauelemente - und damit die Grundlage für effiziente UV-LEDs. Zunächst wurde glattes und versetzungsreduziertes AlN auf Saphir reproduzierbar abgeschieden. Mit einer Optimierung der ...